杂质分布测量技术正文　　半导体器件的许多电学特性，包括结电容、串联电阻、击穿电压、穿通电压、电流增益、频率响应、开关速度等，都与形成器件的外延层、扩散层和离子注入层中的杂质分布有关。了解这些薄层中的杂质分布情况，无论对于设计高性能的器件，还是建立工艺过程的有效监控都具有重要意义。杂质分布测量有多种方法。 　　阳极氧化剥层与四探针测量法　用被测硅片作阳极，铂片作阴极，均置于电解液中，加上电压后在硅片的表面就会生成一层阳极氧化层。根据此氧化… [ 进入词条 ][ 进入杂质分布测量技术维吧 ]